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单晶硅（或晶体硅）的正四面体晶格结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构。而无定形硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶格网络呈无序排列。换言之，并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性，无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)。这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负i面影响。然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是，在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰i退，这种特性被称为SW效应.

吸附理论的缺陷：

吸附理论把胶接作用主要归于分子间的作用力。它不能圆满地解释胶粘剂与被胶接物之间的胶接力大于胶粘剂本身的强度相关这一事实。

在测定胶接强度时，高分散硅，为克服分子间的力所作的功，应当与分子间的分离速度无关。事实上，胶接力的大小与剥离速度有关，这也是吸附理论无法解释的。

吸附理论不能解释极性的α-qing基丙i烯酸酯能胶接非极性的聚beng乙烯类化合物的现象；对高分子化合物极性过大，胶接强度反而降低的现象，以及网状结构的高聚物，当分子量超过5000时，胶接力几乎消失等现象，吸附理论也都无法解释。

聚乙烯、聚beng烯、无毒聚氯i乙烯薄膜抗阻塞剂/开口剂

在拉制薄膜之前的原料中加入超细二氧化硅凝胶粒子在薄膜表面形成微小的凹凸层、薄膜之间存在微小的几何空间，防止低分子物质渗透，从而使薄膜极易打开，制备聚乙烯薄膜抗粘母粒、聚beng烯薄膜和无毒聚氯i乙烯膜分别使用。

重氮盐晒图纸予涂料的重要组成成份

国外高质量的重氮盐晒图纸都经过一道予涂，予涂料的组成是聚醋i酸乙烯和超细二氧化硅经过予涂的晒图纸图像清晰、明快、具有立体感。

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