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铜钼铜材料属于金属基平面层状复合型电子封装材料，这类电子封装复合材料的结构是层叠式，一般分为三层，中间层为低膨胀材料层，两边为高导电导热的材料层，当然，也有两层，或者四层复合层板。生产工艺一般采用轧制复合，电镀复合，成形等方法加工制备的，这类材料在平面方向有很好的热导率和较低的膨胀系数，并且基本上不存在致密问题，此外，这种材料加工成本比较低，例如可以成卷的连续轧制复合生产Cu/Invar/Cu复合板材，能够大大降低生产成本，还可加工成70um箔材，可以广泛的应用于PCB的芯层和引线框架材料。

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Cu/Mo/Cu电子封装材料具有优良的导热性能和可调节的热膨胀系数，目前是国内外大功率电子元器件优选的电子封装材料，并能与Be0、Al203陶瓷匹配，广泛用于微波、通讯、射频、航空航天、电力电子、大功率半导体激光器、医疗等行业。例如，现在国际上流行的BGA封装就大量采用该材料作为基板。另外，在微波封装和射频封装领域，也大量采用该材料做热沉。在电子设备中，它常常被采用为高可靠线路板的基体材料。

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铜钼铜由于CMC理论热导率高、膨胀系数与Si相匹配，早在上世纪90年代，国内外专家学者就对其进行了深入研究，美国的AMAX公司和climax Specialty Metals公司利用热轧复合的方法，生产出来Cu/Mo/Cu（CMC）复合材料，并申请了专利，已用在B2隐形炸机的电子设备上.CMC的结构与CIC一样都是三层复合结构，但硬度、抗拉强度、热导率和电导率却比CIC高的多，这是因为CMC的中间是钼板，而钼的强度、导电、和导热性都要高于Inar合金。

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