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温度对微弧氧化的影响

       微弧氧化与阳极氧化不同，微弧氧化电源图片，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，微弧氧化电源公司电话，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源

微弧氧化的优势

       微弧氧化是一种直接在有色金属表面原位生长陶瓷层的新技术，微弧氧化技术是近十几年在阳极氧化基础上发展起来的，但两者在机理上、工艺上以及膜层性能上都有许多不同之处。所谓等离子体就是由大量的自由电子和离子组成，且在整体上表现为电中性的物质，它被称为固态、气态和液态以外的第四态。处于热等离子态的物质具有强的导电性，且能量集中，温度较高，是一个高热、高温的能源。与传统的阳极氧化法相比，微弧氧化陶瓷膜与基体结合牢固，结构致密，微弧氧化电源厂家电话，具有良好的耐磨、耐腐蚀、耐高温冲击和电绝缘等特性、具有广阔的应用前景。

微弧氧化

       微弧氧化又称等离子体电解氧化、微等离子体氧化等，是通过电解液与相应电参数的组合，在铝、镁、钛等金属及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用，原位生长出以基体金属氧化物为主的陶瓷膜层。在微弧氧化过程中，微弧氧化电源，化学氧化、电化学氧化、等离子体氧化同时存在，因此陶瓷层的形成过程非常复杂，至今还没有一个合理的模型能完全描述陶瓷层的形成。

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