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6,坚膜
坚膜也叫后烘,是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象,能使胶膜附着能力增强,康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min,7,显影检验,光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡,针KONG、小岛。
8刻蚀
就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉,光刻胶 北京,达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀,SIO2,光刻胶 NR9-3000py,AL, Poly-Si 等薄膜,光刻胶,干法腐蚀。
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%,光刻胶 美国,市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年全球半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元,分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年全球半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸先进技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用,193nm及其它先进光刻胶的需求量将快速增加
光刻胶运输标识及注意事项
标签上标明的意思
R标识
R10 YI燃。
S标识
S16 远离火源-禁止吸烟。
S 24 避免接触皮肤。
S 33对静电放电采取预防措施。
S 9 将容器保持在通风良好的地方。
水生毒性
通过自然环境中的化学、光化学和微生物降解来分解。一般不通过水解降解。300 ppm对水生生物是安全的。卤化反应可能发生在水环境中。